產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
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STGB30H60DFB 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGB30H60DFB
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：120A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
- 功率-最大值：260W
- 開關能量：383μJ（開），293μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：149nC
- 25°C時Td（開/關）值：37ns/146ns
- 測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：53ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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