產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 30A 115W D2PAK
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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STGB15H60DF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGB15H60DF
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 600V 30A 115W D2PAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：60A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A
- 功率-最大值：115W
- 開(kāi)關(guān)能量：136μJ（開(kāi)），207μJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：81nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：24.5ns/118ns
- 測(cè)試條件：400V，15A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：103ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB
- STGB15H60DF優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)ST代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)