產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 440V 20A 150W D2PAK
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
STGB10NB40LZT4 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGB10NB40LZT4
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 440V 20A 150W D2PAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：440V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：20A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：40A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 4.5V，10A
- 功率-最大值：150W
- 開關(guān)能量：2.4mJ（開），5mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：28nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：1.3μs/8μs
- 測試條件：328V，10A，1 千歐，5V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- STGB10NB40LZT4優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)ST代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)