產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：SEMITOP?2
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
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STG3P2M10N60B 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STG3P2M10N60B
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 配置：三相反相器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：19A
- 功率-最大值：56W
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，7A
- 電流-集電極截止（最大值）：10μA
- 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：0.72nF @ 25V
- 輸入：單相橋式整流器
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：SEMITOP?2
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