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ST
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
STB27NM60ND 圖片
  • 制造廠商:ST(意法半導(dǎo)體)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
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STB27NM60ND 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:STB27NM60ND
  • 制造商:ST意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101, FDmesh? II
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):21A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):80nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2400pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):160W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:D2PAK
  • STB27NM60ND優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購服務(wù)平臺。
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