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ST
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STB21NM60N-1 圖片
  • 制造廠商:ST(意法半導體)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:I2PAK
  • 技術參數:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
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STB21NM60N-1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:STB21NM60N-1
  • 制造商:ST意法半導體(STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:MDmesh?
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):17A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):220 毫歐 @ 8.5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):66nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1900pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):140W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:I2PAK
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