產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：HiP247? 長(zhǎng)引線
- 技術(shù)參數(shù)：TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購(gòu)平臺(tái)
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SCTWA90N65G2V-4 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SCTWA90N65G2V-4
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：119A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 50A，18V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：157nC @ 18V
- Vgs（最大值）：+22V，-10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：3380pF @ 400V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：565W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 器件封裝：HiP247? 長(zhǎng)引線
- SCTWA90N65G2V-4優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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