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ST
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
NAND512R3A2BZA6E 圖片
  • 制造廠商:ST(意法半導(dǎo)體)
  • 類別封裝:存儲(chǔ)器,產(chǎn)品封裝:63-VFBGA
  • 技術(shù)參數(shù):IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 豐富的ST公司產(chǎn)品,ST芯片采購平臺
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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NAND512R3A2BZA6E 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:NAND512R3A2BZA6E
  • 制造商:ST意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)
  • 描述:IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 產(chǎn)品系列:存儲(chǔ)器
  • 包裝:托盤
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • 存儲(chǔ)器類型:非易失
  • 存儲(chǔ)器格式:閃存
  • 技術(shù):閃存 - NAND
  • 存儲(chǔ)容量:512Mb(64M x 8)
  • 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián)
  • 時(shí)鐘頻率:-
  • 寫周期時(shí)間-字,頁:60ns
  • 訪問時(shí)間:60ns
  • 電壓-供電:1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝:63-VFBGA
  • NAND512R3A2BZA6E優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購服務(wù)平臺。
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