產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：63-TFBGA
- 技術(shù)參數(shù)：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
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NAND01GW3B2AZA6E 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NAND01GW3B2AZA6E
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 產(chǎn)品系列：存儲器
- 包裝：托盤
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 存儲器類型：非易失
- 存儲器格式：閃存
- 技術(shù)：閃存 - NAND
- 存儲容量：1Gb（128M x 8）
- 存儲器接口：并聯(lián)
- 時鐘頻率：-
- 寫周期時間-字，頁：30ns
- 訪問時間：30ns
- 電壓-供電：2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：63-TFBGA
- NAND01GW3B2AZA6E優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購服務(wù)平臺。
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