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- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：電源管理IC - 柵極驅動器，產品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
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L6389EDTR 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：L6389EDTR
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
- 產品系列：電源管理IC - 柵極驅動器
- 包裝：卷帶（TR）
- 系列：-
- 零件狀態：有源
- 驅動配置：半橋
- 通道類型：獨立式
- 驅動器數：2
- 柵極類型：IGBT，N 溝道，P 溝道 MOSFET
- 電壓-供電：17V（最大）
- 邏輯電壓?-VIL，VIH：1.1V，1.8V
- 電流-峰值輸出（灌入，拉出）：400mA，650mA
- 輸入類型：反相
- 高壓側電壓-最大值（自舉）：600V
- 上升/下降時間（典型值）：70ns，40ns
- 工作溫度：-45°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- L6389EDTR優勢代理貨源，國內領先的ST芯片采購服務平臺。
