產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：SK Hynix
- 類別封裝：Memory chips，BGA
- 技術(shù)參數(shù)：Memory chips
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HYC0UEE0MF2P-6SSOE 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：HYC0UEE0MF2P-6SSOE
- 制造商：SK Hynix（海力士半導體）
- 描述：IC DRAM Memory chips
- 產(chǎn)品系列：存儲器
- 包裝：散裝
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 存儲器類型： -
- 存儲器格式：DRAM
- 技術(shù)：SDRAM - DDR2
- 存儲容量： -
- 存儲器接口： -
- 時鐘頻率： -
- 寫周期時間-字，頁： -
- 訪問時間： -
- 電壓-供電： -
- 工作溫度： -
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝： -
- HYC0UEE0MF2P-6SSOE優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的SK Hynix芯片采購服務(wù)平臺。
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