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- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：場效應管陣列，8-PSOP
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
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UPA2756GR-E1-AT 技術參數詳情：
- Renesas瑞薩完整型號：UPA2756GR-E1-AT
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
- 系列：-
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：4A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：105 毫歐 @ 2A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：260pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商器件封裝：8-PSOP
- UPA2756GR-E1-AT優(yōu)勢代理貨源，國內領先的Renesas芯片采購服務平臺。
