產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3PFM，SC-93-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT TRENCH TO-3FP
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RJP65T54DPM-E0#T2 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：RJP65T54DPM-E0#T2
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 描述：IGBT TRENCH TO-3FP
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：溝道
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：225A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.68V @ 15V，30A
- 功率-最大值：63.5W
- 開關(guān)能量：330μJ（開），760μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：72nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：35ns/120ns
- 測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：-
- 工作溫度：175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3PFM，SC-93-3
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