產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，TO-3PSG
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG
- 豐富的Renesas公司產(chǎn)品，Renesas芯片采購平臺
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RJK60S8DPK-M0#T0 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Renesas瑞薩完整型號：RJK60S8DPK-M0#T0
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：超級結(jié)
- 漏源極電壓 (Vdss)：600V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：55A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：56 毫歐 @ 27.5A， 10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：82nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5300pF @ 25V
- 功率 - 最大值：416.6W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-3PSG
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-3PSG
- RJK60S8DPK-M0#T0優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的Renesas芯片采購服務(wù)平臺。
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