產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，TO-263
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 82A TO-263
- 豐富的Renesas公司產(chǎn)品，Renesas芯片采購平臺
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NP82N06PDG-E1-AY 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Renesas瑞薩完整型號：NP82N06PDG-E1-AY
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 82A TO-263
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：82A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：6.7 毫歐 @ 41A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：106nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-263
- NP82N06PDG-E1-AY優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的Renesas芯片采購服務(wù)平臺。
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