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- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：RF 晶體管（BJT），3-SMD
- 技術參數：TRANSISTOR NPN 2GHZ M33
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NE851M33-T3-A 技術參數詳情：
- Renesas瑞薩完整型號: NE851M33-T3-A
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 功能總體簡述: TRANSISTOR NPN 2GHZ M33
- 系列: -
- 晶體管類型: NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 5.5V
- 頻率 - 躍遷: 4.5GHz
- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）: 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
- 增益: -
- 功率 - 最大值: 130mW
- 不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 5mA，1V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 100mA
- 安裝類型: 表面貼裝
- 封裝/外殼: 3-SMD，扁平引線
- 供應商器件封裝: 3 針 SuperMiniMold（M33）
- NE851M33-T3-A優(yōu)勢代理貨源，國內領先的Renesas芯片采購服務平臺。
