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- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：RF 晶體管（BJT），SC-75
- 技術參數：TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
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NE58219-T1-A 技術參數詳情：
- Renesas瑞薩完整型號: NE58219-T1-A
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 功能總體簡述: TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
- 系列: -
- 晶體管類型: NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 12V
- 頻率 - 躍遷: 5GHz
- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）: -
- 增益: -
- 功率 - 最大值: 100mW
- 不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: 60 @ 5mA，5V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 60mA
- 安裝類型: 表面貼裝
- 封裝/外殼: SC-75，SOT-416
- 供應商器件封裝: 3 針 SuperMiniMold（19）
- NE58219-T1-A優勢代理貨源，國內領先的Renesas芯片采購服務平臺。
