產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，8-LFPAK-iV
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
- 豐富的Renesas公司產(chǎn)品，Renesas芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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HAT2165N-EL-E 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Renesas瑞薩完整型號(hào)：HAT2165N-EL-E
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：55A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 27.5A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5180pF @ 10V
- 功率 - 最大值：30W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：8-LFPAK-iV
- HAT2165N-EL-E優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Renesas芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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