產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
- 豐富的ROHM公司產(chǎn)品，ROHM芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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VT6K1T2CR 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：VT6K1T2CR
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平柵極，1.2V 驅(qū)動(dòng)
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：100mA
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.5 歐姆 @ 100mA，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 100μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：7.1pF @ 10V
- 功率-最大值：120mW
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-SMD，扁平引線
- VT6K1T2CR優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ROHM芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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