產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
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US6M11TR 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：US6M11TR
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 和 P 溝道
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：20V，12V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：1.5A，1.3A
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.8nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：110pF @ 10V
- 功率-最大值：1W
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-SMD，扁平引線
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