產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：6-WEMT
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT
- 豐富的ROHM公司產(chǎn)品，ROHM芯片采購(gòu)平臺(tái)
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RW1A030APT2CR 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：RW1A030APT2CR
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：12V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：3A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：42 毫歐 @ 3A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：-8V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2700pF @ 6V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：6-WEMT
- RW1A030APT2CR優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ROHM芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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