產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：8-HSMT（3.2x3）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
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RQ3E180AJTB 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：RQ3E180AJTB
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：18A（Ta），30A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.5 毫歐 @ 18A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 11mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：39nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：4290pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta），30W（Tc）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：8-HSMT（3.2x3）
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