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- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
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RQ3E100BNTB 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產品型號：RQ3E100BNTB
- 制造商：羅姆半導體（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：10A（Ta）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：10.4 毫歐 @ 10A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：8-HSMT（3.2x3）
- RQ3E100BNTB優(yōu)勢代理貨源，國內領先的ROHM芯片采購服務平臺。
