產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，IGBT
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT
- 豐富的ROHM公司產(chǎn)品，ROHM芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
RGT30NS65DGC9 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：RGT30NS65DGC9
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：IGBT
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：45A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，15A
- 功率-最大值：133W
- 開(kāi)關(guān)能量：-
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：32nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：18ns/64ns
- 測(cè)試條件：400V，15A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：55ns
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
- RGT30NS65DGC9優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ROHM芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)ROHM代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)