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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
ROHM
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
QS8J12TCR 圖片
  • 制造廠商:ROHM(羅姆)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SMD,扁平引線
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
  • 豐富的ROHM公司產(chǎn)品,ROHM芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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QS8J12TCR 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):QS8J12TCR
  • 制造商:羅姆半導(dǎo)體(ROHM Semiconductor)
  • 描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì)
  • FET類型:2 個(gè) P 溝道(雙)
  • FET功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動(dòng)
  • 漏源電壓(Vdss):12V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):4.5A
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):29 毫歐 @ 4.5A,4.5V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):40nC @ 4.5V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):4200pF @ 6V
  • 功率-最大值:550mW
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-SMD,扁平引線
  • QS8J12TCR優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ROHM芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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