產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：邏輯 - 柵極和逆變器，IC GATE NAND 1CH 2-INP 5SSOP
- 技術參數(shù)：IC GATE NAND 1CH 2-INP 5SSOP
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BU4S11G2-TR 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：BU4S11G2-TR
- 制造商：羅姆半導體（ROHM Semiconductor）
- 描述：IC GATE NAND 1CH 2-INP 5SSOP
- 產(chǎn)品系列：邏輯 - 柵極和逆變器
- 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
- 系列：4S
- 零件狀態(tài)：有源
- 邏輯類型：與非門
- 電路數(shù)：1
- 輸入數(shù)：2
- 特性：-
- 電壓-供電：3V ~ 16V
- 電流-靜態(tài)（最大值）：1μA
- 電流-輸出高、低：3.4mA，3.4mA
- 邏輯電平-低：1.5V ~ 4V
- 邏輯電平-高：3.5V ~ 11V
- 不同V、最大CL時最大傳播延遲：30ns @ 15V，50pF
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C
- 安裝類型：表面貼裝型
- 供應商器件封裝：5-SSOP
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