產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：模塊
- 技術(shù)參數(shù)：SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
- 豐富的ROHM公司產(chǎn)品，ROHM芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
BSM600C12P3G201 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：BSM600C12P3G201
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：1200V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：600A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 182mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：+22V，-4V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：28000pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2460W（Tc）
- 工作溫度：175°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 器件封裝：模塊
- BSM600C12P3G201優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ROHM芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)ROHM代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)