產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：模塊
- 技術(shù)參數(shù)：SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
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BSM600C12P3G201 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：BSM600C12P3G201
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：1200V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：600A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：-
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 182mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：+22V，-4V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：28000pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2460W（Tc）
- 工作溫度：175°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 器件封裝：模塊
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