產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：存儲器，零件封裝：8-TSSOP（0.173，4.40mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
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BR25G512FVT-3GE2 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：BR25G512FVT-3GE2
- 制造商：羅姆半導體（ROHM Semiconductor）
- 描述：IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
- 產(chǎn)品系列：存儲器
- 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 存儲器類型：非易失
- 存儲器格式：EEPROM
- 技術(shù)：EEPROM
- 存儲容量：512Kb（64K x 8）
- 存儲器接口：SPI
- 時鐘頻率：10MHz
- 寫周期時間-字，頁：5ms
- 訪問時間：-
- 電壓-供電：1.8V ~ 5.5V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 零件封裝：8-TSSOP（0.173，4.40mm 寬）
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