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- 制造廠商：松下半導體
- 類別封裝：晶體管（BJT） - 陣列﹐預偏壓式，SOT-563，SOT-666
- 技術參數：TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
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DME914C10R 技術參數詳情：
- 制造商產品型號: DME914C10R
- 制造商：松下半導體（Panasonic Electronic Components）
- 功能總體簡述: TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
- 系列: -
- 晶體管類型: 1 NPN 預偏壓式，1 PNP
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 100mA，500mA
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 50V，12V
- 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）: 4.7k
- 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）: 47k
- 不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 5mA，10V / 270 @ 10mA，2V
- 不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）: 250mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）: 500nA
- 頻率 - 躍遷: 300MHz
- 功率 - 最大值: 125mW
- 安裝類型: 表面貼裝
- 產品封裝: SOT-563，SOT-666
- 供應商器件封裝: SSMini6-F3-B
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