產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Nexperia（安世半導體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：MLPAK33
- 技術參數(shù)：PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
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PXN6R2-25QLJ 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：PXN6R2-25QLJ
- 制造商：Nexperia（安世半導體）
- 描述：PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：TrenchMOS?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：25V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：13.1A（Ta），65A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：6.2 毫歐 @ 13.1A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：25.5nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1200pF @ 12.5V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta），40.3W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：MLPAK33
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