產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 類別封裝：FET，MOSFET - 單-晶體管，TO-220-3
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V TO220AB
- 豐富的Nexperia公司產(chǎn)品，Nexperia芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
PSMN1R8-30PL 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Nexperia公司器件型號(hào)：PSMN1R8-30PL,127
- 制造商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 功能總體描述：MOSFET N-CH 30V TO220AB
- 所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：在售
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源極電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：100A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.15V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：170nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：10180pF @ 12V
- Vgs（最大值）：±20V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：270W（Tc）
- 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：1.8 毫歐 @ 25A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：TO-220AB
- 封裝形式：TO-220-3
- PSMN1R8-30PL的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：- PCS
- PSMN1R8-30PL優(yōu)勢(shì)代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的Nexperia芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Nexperia代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)