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Nexperia
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PSMN1R8-30PL 圖片
  • 制造廠商:Nexperia(安世半導體)
  • 類別封裝:FET,MOSFET - 單-晶體管,TO-220-3
  • 技術參數(shù):MOSFET N-CH 30V TO220AB
  • 豐富的Nexperia公司產品,Nexperia芯片采購平臺
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PSMN1R8-30PL 技術參數(shù)詳情:
  • Nexperia公司器件型號:PSMN1R8-30PL,127
  • 制造商:Nexperia(安世半導體)
  • 功能總體描述:MOSFET N-CH 30V TO220AB
  • 所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):在售
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源極電壓(Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):170nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):10180pF @ 12V
  • Vgs(最大值):±20V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):270W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 25A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • Nexperia公司標準封裝:TO-220AB
  • 封裝形式:TO-220-3
  • PSMN1R8-30PL的標準包裝數(shù)量(SPQ):- PCS
  • PSMN1R8-30PL優(yōu)勢代理貨源,國內領先的Nexperia芯片采購服務平臺。
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