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- 制造廠商：Nexperia（安世半導體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：DFN1006B-3
- 技術參數：MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
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PMZB370UNE,315 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：PMZB370UNE,315
- 制造商：Nexperia（安世半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：停產
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：900mA（Ta）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：490 毫歐 @ 500mA，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.16nC @ 15V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：78pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：360mW（Ta），2.7W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：DFN1006B-3
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