產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 類別封裝：FET，MOSFET - 單-晶體管，3-XFDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
- 豐富的Nexperia公司產(chǎn)品，Nexperia芯片采購平臺(tái)
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PMZB350UPE 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Nexperia公司器件型號(hào)：PMZB350UPE,315
- 制造商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 功能總體描述：MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
- 所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：在售
- FET 類型：P 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源極電壓（Vdss）：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：1A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：1.9nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：127pF @ 10V
- Vgs（最大值）：±8V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：360mW（Ta），3.125W（Tc）
- 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：450 毫歐 @ 300mA，4.5V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：3-DFN1006B（0.6x1）
- 封裝形式：3-XFDFN
- PMZB350UPE的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：10000 PCS
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