產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：6-XFDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
- 豐富的Nexperia公司產(chǎn)品，Nexperia芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
PMCXB1000UEZ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：PMCXB1000UEZ
- 制造商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 和 P 溝道互補(bǔ)型
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：590mA（Ta），410mA（Ta）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：670 毫歐 @ 590mA，4.5V，1.4 歐姆 @ 410mA，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.05nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：30.3pF @ 15V，43.2pF @ 15V
- 功率-最大值：285mW（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-XFDFN
- PMCXB1000UEZ優(yōu)勢(shì)代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的Nexperia芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Nexperia代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)