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- 制造廠商：Nexperia（安世半導體）
- 類別封裝：FET，MOSFET - 陣列-晶體管，8-SO
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
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PHKD3NQ10T 技術參數詳情：
- Nexperia公司器件型號：PHKD3NQ10T,518
- 制造商：Nexperia（安世半導體）
- 功能總體描述：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
- 所屬類別：FET，MOSFET - 陣列-晶體管
- 系列：TrenchMOS??
- 零件狀態：在售
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓（Vdss）：100V
- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：3A
- 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：21nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：633pF @ 20V
- 功率 - 最大值：2W
- 工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- Nexperia公司標準封裝：8-SO
- PHKD3NQ10T的標準包裝數量(SPQ)：10000 PCS
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