產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-236AB
- 技術(shù)參數(shù)：NXV55UN/SOT23/TO-236AB
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NXV55UNR 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NXV55UNR
- 制造商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 描述：NXV55UN/SOT23/TO-236AB
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：TrenchMOS?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：1.9A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：66 毫歐 @ 1.9A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：8.7nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：352pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：340mW（Ta），2.1W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：TO-236AB
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