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力科發(fā)布了更準(zhǔn)確的寬禁帶半導(dǎo)體分析測(cè)量系統(tǒng)

（2025年5月21日更新）

力科最近宣布推出新產(chǎn)品DL-ISO 1 GHz高精度示波器 (HDO) 最準(zhǔn)確的氮化鎵可以結(jié)合使用提供 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體器件的電氣特性表征。

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工程師們已經(jīng)使用硅30多年了 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 生產(chǎn)電源和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件。然而，消費(fèi)者需要更小、更輕的電源和系統(tǒng)，而政府需要更高的效率。寬禁帶 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，開關(guān)速度比 Si 在降低尺寸和重量的同時(shí)，快十倍以上，提高效率。工程師在設(shè)計(jì)寬禁帶半導(dǎo)體系統(tǒng)時(shí)，需要對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行更準(zhǔn)確、更詳細(xì)的分析。

力科新型DL-ISO為設(shè)計(jì)工程師提供最可靠的高壓光隔離探頭 GaN 和SiC 測(cè)量功率半導(dǎo)體器件。新探頭配合力科行業(yè)領(lǐng)先的12位分辨率HDO示波器具有最佳的信號(hào)保真度最低過(guò)沖和最佳精度1.5%，幾乎是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的兩倍。

1 GHz帶寬滿足測(cè)量GaN器件1 ns要求上升時(shí)間。HDO在12位分辨率下，示波器仍然提供0 GS/s采樣率顯示最真實(shí)的高速采樣率GaN和SiC設(shè)備信號(hào)。新設(shè)計(jì)成功實(shí)施了這種最佳信號(hào)保真度、低過(guò)沖、高精度、高帶寬和高采樣率的組合GaN和SiC技術(shù)至關(guān)重要。

力科新功率器件軟件包自動(dòng)執(zhí)行JEDEC進(jìn)一步簡(jiǎn)化了開關(guān)損耗等測(cè)量，以顏色編碼突出顯示相關(guān)測(cè)量區(qū)域 GaN 和SiC 設(shè)備分析。