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SK在華晶圓廠,海力士、三星、英特爾都獲得了美國(guó)出口限制豁免!
(2025年5月17日更新)

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10月12日,美國(guó)對(duì)中國(guó)大陸半導(dǎo)體制造設(shè)施開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)或使用集成電路的限制規(guī)則正式生效。這美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商將無(wú)法繼續(xù)向中國(guó)大陸的半導(dǎo)體制造商提供半導(dǎo)體設(shè)備、零部件和技術(shù)支持。

昨天的消息還顯示,美國(guó)設(shè)備制造商在大陸晶圓廠的駐地人員已于10日開(kāi)始撤離。SK海力士和其他外國(guó)制造商也收到了美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商的通知。

然而,據(jù)韓聯(lián)社今天中午報(bào)道,韓國(guó)大型存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士和三星電子公司于當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月11日獲得了美國(guó)商務(wù)部的許可,兩家公司可以在未來(lái)一年獲得美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的供應(yīng),而無(wú)需辦理任何額外手續(xù)。因此,中國(guó)大陸兩家存儲(chǔ)芯片制造商的生產(chǎn)不會(huì)受到禁令的影響。

根據(jù)美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月7日發(fā)布的新禁令,如果所有中國(guó)大陸芯片制造商都想購(gòu)買16nm或14nm或以下非平面晶體管結(jié)構(gòu)FinFET或GAAFET)邏輯芯片,18nm半間距或更小DRAM內(nèi)存芯片,128層以上NAND閃存芯片制造所需的美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備將被直接拒絕,在這個(gè)閾值以下的設(shè)備供應(yīng)仍然需要美國(guó)的許可。

對(duì)于三星、SK海力士、英特爾等。AD代理跨國(guó)公司擁有的半導(dǎo)體制造設(shè)施將根據(jù)具體情況來(lái)決定。

三星和SK海力士正在升級(jí)其位于中國(guó)大陸的晶圓廠,需要進(jìn)口大量設(shè)備。

數(shù)據(jù)顯示,截至2020年,SK海力士在中國(guó)投資200多億美元,在無(wú)錫擁有4000多名員工,并于2019年完成了第二家工廠C2F建設(shè)C2F無(wú)錫工廠將承擔(dān)項(xiàng)目的持續(xù)推進(jìn)SK海力士DRAM儲(chǔ)存半導(dǎo)體生產(chǎn)總量近一半的份額。

另外,2020年10月20日,SK海力士還以90億美元收購(gòu)了英特爾大連NAND英特爾閃存工廠包括英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)。然而,英特爾將繼續(xù)保留其獨(dú)特的傲騰業(yè)務(wù)。獲得中國(guó)政府批準(zhǔn)后,2021年12月22日,SK海力士正式完成了英特爾NAND收購(gòu)閃存業(yè)務(wù)。但英特爾大連廠尚未完全交付。根據(jù)協(xié)議,預(yù)計(jì)雙方將在那里 2025年3月最終交割時(shí),SK 海力士將從英特爾收購(gòu)剩余的20億美元,包括 NAND 中國(guó)大連工廠的生產(chǎn)設(shè)計(jì)相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)、研發(fā)人員和員工。

今年5月16日,愛(ài)思開(kāi)海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目在大連金普新區(qū)舉行開(kāi)工儀式。該項(xiàng)目將建設(shè)一個(gè)從事非易失性存儲(chǔ)器3的新型晶圓廠D NAND生產(chǎn)芯片產(chǎn)品。

此外,三星還在繼續(xù)推廣西安高端3D NAND建設(shè)存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目。該項(xiàng)目分為三個(gè)階段。一期總投資108億美元,2014年5月竣工投產(chǎn),月產(chǎn)能13萬(wàn)件;二期總投資150億美元,主要生產(chǎn)閃存芯片。二期二期二期項(xiàng)目已于2021年中投產(chǎn)。三星西安一期、二期項(xiàng)目存儲(chǔ)芯片月產(chǎn)能13萬(wàn)片。三星西安NAND存儲(chǔ)生產(chǎn)基地產(chǎn)能占三星全球NAND Flash總產(chǎn)能占40%。根據(jù)之前的計(jì)劃,三星還將投資150億美元建設(shè)西安三期項(xiàng)目,主要制造5個(gè)G芯片和汽車芯片。

正是因?yàn)镾K海力士和三星的大陸工廠需要更多的設(shè)備來(lái)升級(jí)。因此,每個(gè)案件的審批程序都很復(fù)雜,需要很長(zhǎng)時(shí)間。因此,在與美國(guó)政府溝通后,他們一次性獲得了所需的設(shè)備進(jìn)口綜合許可證。這也使三星和SK海力士的疑慮需要根據(jù)審查,可能造成的程序延遲等不確定性暫時(shí)消除。

SK hynix官員說(shuō):為了繼續(xù)在中國(guó)大陸生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品,我們與美國(guó)進(jìn)行了成功的談判,并將與政府密切協(xié)商,努力在遵守國(guó)際秩序的范圍內(nèi)經(jīng)營(yíng)中國(guó)大陸工廠。

據(jù)芯智訊報(bào)道,英特爾位于大連的存儲(chǔ)工廠(SK海力士收購(gòu)后尚未完全交付)也獲得了美國(guó)商務(wù)部的許可。一位美國(guó)設(shè)備制造商的內(nèi)部人員告訴新智訊:我們收到通知,英特爾大連工廠已經(jīng)獲得了美國(guó)商務(wù)部的許可,我們可以繼續(xù)支持英特爾大連工廠。

然而,目前還不清楚英特爾大連工廠是否獲得了許可證SK海力士也是一年的許可證。

此外,據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,美國(guó)對(duì)SK海力士的許可措施似乎僅限于現(xiàn)有工廠的升級(jí),目前還不清楚一年后是否會(huì)繼續(xù)獲得許可。

據(jù)報(bào)道,美國(guó)政府的立場(chǎng)是,它主要針對(duì)的不是目前的項(xiàng)目,而是未來(lái)的項(xiàng)目,并將繼續(xù)與韓國(guó)協(xié)商允許進(jìn)口設(shè)備的程度。

一位消息人士說(shuō):美國(guó)不會(huì)無(wú)限期地給予許可,而是針對(duì)三星和三星SK為避免復(fù)雜的逐案申請(qǐng),海力士在升級(jí)中國(guó)當(dāng)?shù)毓S期間給予了為期一年的許可。

另一位消息人士說(shuō):據(jù)我所知,美國(guó)政府對(duì)三星和三星采取了這一措施SK對(duì)具體項(xiàng)目給予全面許可。

報(bào)告稱,美國(guó)政府在準(zhǔn)備出口管制措施的過(guò)程中與韓國(guó)分享了內(nèi)容。為了防止三星和三星SK海力士在中國(guó)大陸工廠的運(yùn)營(yíng)存在問(wèn)題,因此與美國(guó)進(jìn)行了密切協(xié)商。韓國(guó)要求美國(guó)確保韓國(guó)企業(yè)在內(nèi)地升級(jí)的半導(dǎo)體制造項(xiàng)目沒(méi)有問(wèn)題。美國(guó)政府還向韓國(guó)政府轉(zhuǎn)達(dá)了不干擾跨國(guó)公司半導(dǎo)體生產(chǎn)的立場(chǎng)。

從美國(guó)的角度來(lái)看,如果出口管制想要取得成效,自然需要韓國(guó)這個(gè)半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)的幫助。如果韓國(guó)公司在美國(guó)的制裁中遭受損失,韓國(guó)政府與美國(guó)政府的合作將面臨巨大的壓力。

值得注意的是,美國(guó)正在積極推動(dòng)與韓國(guó)、日本和中國(guó)臺(tái)灣建立由美國(guó)領(lǐng)導(dǎo)的芯片四方聯(lián)盟(Chip4)。盡管美國(guó)此前表示,該聯(lián)盟旨在與這些在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)主導(dǎo)地位的地區(qū)合作,解決半導(dǎo)體供應(yīng)鏈問(wèn)題。然而,業(yè)界認(rèn)為美國(guó)已經(jīng)成立Chip4背后的目的是利用這個(gè)組織將中國(guó)大陸排除在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈之外。韓國(guó)一直對(duì)此表示懷疑,希望避免針對(duì)中國(guó)大陸。

因此,為了幫助美國(guó)更好地實(shí)現(xiàn)韓國(guó)、日本和臺(tái)灣包圍中國(guó)大陸的戰(zhàn)略目標(biāo),美國(guó)自然會(huì)努力吸引他們,避免在包圍中國(guó)大陸的過(guò)程中意外傷害相關(guān)海外企業(yè)。

因此,美國(guó)在國(guó)實(shí)施新的制裁規(guī)定之前,美國(guó)已經(jīng)與韓國(guó)政府分享了內(nèi)容,并立即給予韓國(guó)相關(guān)企業(yè)豁免。在美國(guó)對(duì)中國(guó)的禁令下,中國(guó)大陸的存儲(chǔ)制造商發(fā)展非常有限,三星,SK海力士等存儲(chǔ)巨頭也將間接受益。


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