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就像之前的預(yù)測(cè)一樣，三星今天正式宣布了3nm工藝量產(chǎn)，這個(gè)onsemi代理這意味著三星在新一代術(shù)上率先量產(chǎn)臺(tái)積電，首次量產(chǎn)GAA晶體管工藝在技術(shù)上也完全抑制了臺(tái)積電，后者將達(dá)到2nm使用節(jié)點(diǎn)GAA工藝。

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據(jù)三星說(shuō)，在3nm在芯片上，它放棄了以前的芯片F(xiàn)inFET采用新的架構(gòu)GAA晶體管架構(gòu)大大提高了芯片的功耗性能。

與5nm與第一代3相比nm該工藝可降低功耗45%，面積16%，性能23%，第二代3nm該工藝可降低50%的功耗，提高30%的性能，同時(shí)減少35%的面積，效果更好。

三星搶先量產(chǎn)3nm GAA韓國(guó)媒體和專家對(duì)技術(shù)表示積極，但臺(tái)灣分析師的態(tài)度不同。工業(yè)研究所產(chǎn)科國(guó)際研究所研究所長(zhǎng)楊瑞林認(rèn)為，三星是在貨架上趕鴨子。

楊瑞臨認(rèn)為這樣評(píng)價(jià)的原因GAA目前晶體管生態(tài)還不成熟，相關(guān)的蝕刻和測(cè)量問題還沒有解決，材料和化學(xué)品也需要改進(jìn)。

此外，他對(duì)三星3不樂觀nm GAA該過(guò)程的原因也與成本有關(guān)。三星認(rèn)為這將增加成本，延長(zhǎng)交付期，緩慢提高良率，質(zhì)量控制不一定好，導(dǎo)致三星難以向客戶報(bào)價(jià)。目前，3nm GAA工藝只有三星本身使用，不會(huì)有外部客戶使用。