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就像之前的預測一樣，三星今天正式宣布了3nm工藝量產，這個onsemi代理這意味著三星在新一代術上率先量產臺積電，首次量產GAA晶體管工藝在技術上也完全抑制了臺積電，后者將達到2nm使用節點GAA工藝。

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據三星說，在3nm在芯片上，它放棄了以前的芯片FinFET采用新的架構GAA晶體管架構大大提高了芯片的功耗性能。

與5nm與第一代3相比nm該工藝可降低功耗45%，面積16%，性能23%，第二代3nm該工藝可降低50%的功耗，提高30%的性能，同時減少35%的面積，效果更好。

三星搶先量產3nm GAA韓國媒體和專家對技術表示積極，但臺灣分析師的態度不同。工業研究所產科國際研究所研究所長楊瑞林認為，三星是在貨架上趕鴨子。

楊瑞臨認為這樣評價的原因GAA目前晶體管生態還不成熟，相關的蝕刻和測量問題還沒有解決，材料和化學品也需要改進。

此外，他對三星3不樂觀nm GAA該過程的原因也與成本有關。三星認為這將增加成本，延長交付期，緩慢提高良率，質量控制不一定好，導致三星難以向客戶報價。目前，3nm GAA工藝只有三星本身使用，不會有外部客戶使用。