啟方半導體是韓國唯一的純晶圓代工公司(Key Foundry)今天宣布將用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工藝。
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BCD雙極晶體管是一種(Bipolar)、補充金屬氧化物半導體(CMOS)雙擴散金屬氧化物半導體用于高壓處理(DMOS)集成在同一芯片上的工藝技術。它廣泛應用于制造功率半導體。與普通半導體相比，功率半導體需要更高的額定電壓和更高的可靠性。隨著功率半導體應用的擴大BCD需求也在增加。
與啟方半導體現(xiàn)有帶EPI外延層的BCD與這個新的0.18微米相比，這個新的30微米V非EPI BCD盡管去掉了工藝EPI但外延層仍保持相同的性能。與普通半導體相比，這種新工藝非常適合需要更高的電壓和更高的可靠性 以及更高效的功率半導體應用�？蓱糜谥悄苁謾C、智能手表等低功耗電源管理 DC-DC 生產充電芯片。
與導電阻相比，這種新工藝比導電阻更好(Rsp)0.18微米性能EPI BCD與保持不變的過程相比。啟方半導體可提供5V至30V各種功率器件之間的選擇。因為不需要這個過程EPI因此，工藝效率提高了5V提供5個電源模塊V LDMOS實現(xiàn)高效設計的晶體管。特別值得一提的是，這種新的非EPI BCD工藝邏輯器件與現(xiàn)有工藝保持一致EPI BCD工藝邏輯器件與其數(shù)據(jù)庫非常接近電性能（libraries） & IP與目前大規(guī)模量產工藝兼容。為了提高用戶的便利性，新工藝也提供了MTP和OTP(一次性編程)IP，不需要任何額外的工藝步驟。得益于Invensense代理這些優(yōu)點適用于需要存儲功能的功率半導體或其他類型的應用，如移動直流-直流IC和充電器IC。
啟方半導體自工藝開發(fā)初期以來，與無晶圓廠電力半導體設計客戶密切溝通，以反映市場對工藝結構的需求。啟方半導體于使用的地圖選項和設計工具包，啟方半導體增強了用戶的便利性。特別是與現(xiàn)有產品相比，客戶可以簡化流程，提高產品性能。同時，這一新工藝符合汽車電子國際可靠性標準AEC Q100的Grade-1.要求不僅適用于移動設備，也適用于電機驅動等汽車動力半導體IC和直流-直流IC等。
李泰鐘，啟方半導體首席執(zhí)行官(Tae Jong Lee)博士表示："隨著功率半導體市場的快速增長，它對高度可靠和簡化BCD對工藝的需求正在增加。我們將繼續(xù)改進工藝技術，提供最優(yōu)化BCD滿足功率半導體設計公司的需求。"
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