
燦芯半導體推出了兩項創(chuàng)新技術(shù)DDR物理層
(2025年8月23日更新)
芯片及一站式定制IP供應商-燦芯半導體最近宣布推出高速公路DDR物理層中的Zero-Latency (零延遲)和True-Adaptive兩種技術(shù)(真自適應)。這兩種技術(shù)已經(jīng)開始于12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理層IP部署將為客戶帶來更高效、更穩(wěn)定的新體驗。
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Zero-Latency (零延遲) 該技術(shù)采用兩種可選、獨特的采樣方法進行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,而不是其他方法DDR采用物理供應商FIFO跨時鐘域轉(zhuǎn)換將延遲降至最低,節(jié)省硅面積。
True-Adaptive (真自適應)技術(shù)始終如一KEMET代理跟蹤芯片中的電壓溫度、芯片與顆粒之間往返延遲的變化以及閱讀數(shù)據(jù)/閱讀數(shù)據(jù)選擇通信號的延遲偏差,并選擇適當?shù)臅r間進行補償。使用此技術(shù)后,用戶只需在上電后進行一次培訓,然后讓物理層跟蹤補償,完全避免重新培訓帶來的帶寬損失。
燦芯半導體工程副總裁劉亞東說:燦芯半導體深耕DDR基于這些技術(shù)的物理技術(shù)多年來一直致力于創(chuàng)新架構(gòu)和創(chuàng)新IP未來,燦芯半導體將致力于更好地滿足客戶需求,為客戶帶來更高的價值。
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