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英飛凌科技有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC該產品由總部位于臺灣的世界領先的電電源管理和散熱解決方案提供商臺達電子選擇，使臺達電子向利用綠色電力實現能源轉型和碳中和邁出了一大步。臺太陽能發電、儲能和電動汽車成功開發了雙向逆變器（EV）由充電組成的三合一混合系統可以將電動汽車作為家庭應急備用電源。

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這種雙向逆變器可用于電動汽車（EV）與家用電池充電，也可作為意外停電的備用電源，以及高效綠色能源發電設備的核心部件。雙向逆變器配備了英飛凌的1200 V M1H CoolSiC EasyPACK 1B模塊和采用 D2PAK -7L，7引腳封裝的1200 V CoolSiC MOSFET(一種表面貼裝裝置)。一個尺寸只有425 x 865 x 160mm三合一系統的設計在緊湊包裝中實現，具有重要的里程碑意義。該系統的輸出功率約為10 kW，允許通過的最大連續電流為34 A，峰值效率可超過97.5%。

CoolSiC MOSFET Easy 1B

臺達光伏逆變器業務部主任李雷明表示：英飛凌多年來一直引領著功率半導體的發展，致力于進一步提高電源管理效率。它是一個值得信賴的合作伙伴。在英飛凌功率半導體設備的幫助下，我們可以將三個應用程序集成到一個系統中，并向綠色能源的發展目標邁出一大步。

英飛凌科技產業功率控制部總裁Peter Wawer醫生說：該項目是碳中和道路上的一個重要里程碑，我們很榮幸成為該項目的重要參與者。我們期待著臺達與英飛凌的長期合作。英飛凌的功率半導體設備在這個智能能源解決方案中發揮了重要作用，我們為此感到自豪。

創建這個三合一系統的重要組成部分包括：帶NTC溫度Marvell代理采用壓接工藝的12000傳感器 V M1H CoolSiC EasyPACK 1B模塊（F4-23MR12W1M1_B11）。該模塊具有超高的設計靈活性和高電流密度。同時，該模塊采用了領先的包裝技術CoolSiC MOSFET配合使用，實現了低電感設計和極小的開關和導通損耗。它支持客戶實現高開關頻率設計，使系統設計更小。EasyPACK該模塊可以幫助客戶縮短新產品的開發時間，降低整體成本。

該系統還使用了英飛凌的其他幾個半導體設備，包括CoolMOS C7和TRENCHSTOP 5 IGBT半導體器件的技術和使用D2PAK -7L，71200引腳表面貼裝封裝V CoolSiC MOSFET（IMBG120R350M1H）。后者采用.XT與同類產品相比，互聯技術具有更好的熱性能，并采用了開爾文源極的概念。憑借其優點，這些功率器件保證了極低的開關損耗，提高了系統效率。

CoolSiC MOSFET D2PAK 7-pin

SiC MOSFET提供3 μs和MOSFET提供全壓擺率（dV/dt）控制以及4.5 V基準柵極閾值電壓（VGS(th)）。它們還具有很強的抗寄生導通能力，可以在0 V關閉電壓下的運行。此外，這些MOSFET還包括強大的體二極管，支持硬換流。爬電距離和電氣間隙為6.1 mm。由于采用SMD封裝, 這些MOSFET具有自然對流冷卻功能的可直接集成PCB因此，沒有額外的散熱器。