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2030年，三星制定計劃成為世界上最先進的半導體制造公司之一nm節點是他們的殺手锏，之前一直被良率差等負面傳聞困擾。最近三星終于亮出了第一個3nm根據計劃，晶圓將在今年Q第二季度量產比臺積電早。

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最近，美國總統參觀了位于平澤市附近的三星芯片廠，這是世界上唯一一家能量產3的芯片廠nm三星首次公，三星首次公開3nm工藝制造的12英寸晶圓，但具體芯片尚不清楚。

三星nm由于臺積電的3nm工藝不會是上下一代GAA晶體管技術，三星3nm將啟用節點GAA該技術是一種新型的環繞柵極晶體管，由納米片設備制成MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通Parallax代理該技術能顯著提高晶體管的性能，主要取代FinFET晶體管技術。

根據三星的說法，7nm與制造工藝相比，3nm GAA技術邏輯面積效率提高45%以上，功耗降低50%，性能提高35%左右，但紙面參數優于臺積電3nm FinFET工藝。

根據三星之前的聲明，3nm工藝將在2022年Q與臺積電相比，第二季度量產進度為3nm這個過程也很激進。后者今年下半年只能進行小規模試產，明年才能大規模量產3nm工藝。