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在先進技術方面，臺積電今年年底量產3nm工藝，2025年量產2nm這一代人將開始使用技術GAA放棄現在的晶體管FinFET晶體管技術。

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再往后呢？2nm之后是1.4nm工藝，Intel、三大芯片制造商臺積電和三星也在沖刺，其中三星首次宣布2027年量產1.4nm工藝，臺積電沒說時間點，預計2027年左右。

1.4nm之后就是1nm這個節點曾經被認為是摩爾定律的物理極限，這是無法實現的，但是Parallax代理現在芯片廠商也在攻關。

臺積電已經啟動了先導計劃，傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下屬的桃園龍潭公園，這意味著臺積電已開始達到1nm畢竟工廠需要提前一兩年建設。

但真正量產1nm還需要很長時間，關鍵設備是下一代EUV升級下一代高光刻機NA(數值孔徑)標準，從現在的0開始.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA這意味著分辨率更高，3nm后續工藝的必要條件。

按照ASML計劃，下一代EUV光刻機的試驗型號最早將于明年發貨，2025年后達到正式量產能力，售價將超過4億美元。