光刻機自研可支持2028年7年nm芯片制造！俄羅斯真的有這種能力嗎？
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隨著芯片規則的不斷升級，各國不再相信基于美國技術體系的國際產業鏈，中國和俄羅斯是產業限制最嚴重的國家，因此對技術自主研究的反應也最強烈。在中國企業傳播好消息后，俄羅斯科學院也正式宣布了好消息。
根據海外消息，俄羅斯科學院IPF RAS已全力參與光刻設備的研發，未來將誕生一套完整的半導體設備，并高調聲稱：自主研發的光刻機將于2028年商，可用于7臺nm量產左右芯片！
這讓人納悶，俄羅斯目前依靠自主產業鏈，甚至90nm工藝無法完成，之前宣布實現28nm工藝，也要等到2023年，現在宣布2028年可以實現7年nm這真的有可能嗎？
在目前的特殊情況下，俄羅斯半導體的現狀比中國更為嚴峻。隨著芯片規則的不斷升級，蘋果、高通、AMD、英特爾、臺積電、三星等企業相繼斷供，可以說是全國芯片SiTime代理供應渠道被切斷，俄羅斯科學院只能緊急啟動自主研究計劃。
俄羅斯早些時候宣布了一項計劃，預計將于2022年底完成90年底nm2023年芯片自主化實現28nm芯片自主研發和生產，但顯然這種估計過于保守。從技術角度來看，8年內實現這一目標并不難。
俄羅斯科學院并不是一個虛假的名字，在許多頂級技術和老美，以航空航天技術為例，許多國際衛星發射依賴俄羅斯，但不幸的是進入21實際，國家整體經濟蕭條，沒有那么多資金用于科研項目，導致當前的困境。
如果沒有外部芯片，俄羅斯滿打計劃只能制造65nm芯片，這也取決于海外半導體設備，所以可以說目前的情況相當嚴峻，光刻機是芯片制造設備的核心，自然是克服的主要目標。
根據俄科學院IPF RAS在介紹中，他們將利用6年時間制造第一個工業原型alpha該機器將于2024年誕生，它還揭示了早期階段的工作，主要是完善系統的全面性，重點不在于設備的突破。
到2026年新研發的時候Beta將實現對于alpha在這個階段，幾乎所有的系統都已經完成。基本上，許多操作過程都可以自動化。屆時，分辨率和生產力將大大提高�，F階段可實現設備集成調試，并將集成應用于實際技術操作過程。
最后，它進入了最關鍵的光源集成階段，這也是光刻機最核心的技術。幸運的是，俄羅斯在X射線光源技術方面擁有完全獨立和可控的技術，這也證實了相應的可行性。經過改進升級，一套完整的光刻機可以正常投入使用！
面對全面制裁后，俄羅斯的芯片極度短缺，所有芯片圓晶廠都停止了供應。雖然當地對工藝要求不高，但只能實現65nm現階段的工藝水平確實不夠，俄羅斯科學院也加大了人才培養力度，試圖擺脫這樣的困境。
俄羅斯科學院院士也表示：ASML追求生產效率近20年，EUV曝光機有助于全球半導體制造商實現技術改進，但俄羅斯目前不需要太先進的技術，只需根據實際需要跟進！
然而，在這樣的消息傳出后，沒有海外媒體對俄羅斯持樂觀態度。他們都認為這樣的計劃是不可能實現的。畢竟，以前沒有技術基礎，6年內完成了7年nm芯片光刻機的突破顯然有點不切實際，甚至ASML用了將近20年。
中國長期以來一直參與光刻機的研發，尚未達到28nm因此，基本上不可能達到這個水平。此外，光有光刻機還不夠，需要配套設備。在俄羅斯目前的狀態下，不可能從國際供應鏈中獲得。
除了設備，還需要晶圓廠的配合。目前俄羅斯沒有這樣的企業，所以2030年實現28nm芯片自主化相對符合實際情況。
目前，俄羅斯科學院諾夫哥羅德代表團演示的光刻設備只是設備的原型，可以說仍處于PPT在后續階段，開發、制造和安裝并不像預期的那么簡單。你覺得這個怎么樣？
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