國內(nèi)技術(shù)進(jìn)步：長江存儲或跳過192層閃存 切入232層
（2025年8月23日更新）
2016年成立的長江存儲于2017年通過自主研發(fā)和國際合作設(shè)計制造了首款3D NAND閃存。2019年，長江儲存晶棧 Xtacking第二代3架構(gòu)D TLC閃存量產(chǎn)，2020年，第三代TLC/QLC研發(fā)成功推進(jìn)到128層3D堆疊。
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堆疊層數(shù)通常被視為閃存領(lǐng)域技術(shù)先進(jìn)程度的指標(biāo)。DT報報道，業(yè)內(nèi)人士報道，長江存儲計劃跳過192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。根據(jù)此前韓國研究機(jī)構(gòu)的研究機(jī)構(gòu)OERI根據(jù)一份報告，三星和韓國閃存技術(shù)的差距已經(jīng)縮短到兩年，原因是SK海力士初，海力士將大規(guī)模生產(chǎn)200多層閃存，而長江存儲將持續(xù)到2024年。現(xiàn)在，他們低估了長江存儲的技術(shù)儲備。據(jù)報道，長江存儲預(yù)計將進(jìn)入蘋果供應(yīng)鏈iPhone如果說產(chǎn)品供應(yīng)閃存最多的話Samsung代理最終實現(xiàn)，無疑會有打破產(chǎn)業(yè)格局的動力。
熱門關(guān)注的型號及相關(guān)品牌：
產(chǎn)品與應(yīng)用：
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