國內技術進步：長江存儲或跳過192層閃存 切入232層
（2024年12月25日更新）
2016年成立的長江存儲于2017年通過自主研發和國際合作設計制造了首款3D NAND閃存。2019年，長江儲存晶棧 Xtacking第二代3架構D TLC閃存量產，2020年，第三代TLC/QLC研發成功推進到128層3D堆疊。
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堆疊層數通常被視為閃存領域技術先進程度的指標。DT報報道，業內人士報道，長江存儲計劃跳過192層，直接切入232層閃存生產。根據此前韓國研究機構的研究機構OERI根據一份報告，三星和韓國閃存技術的差距已經縮短到兩年，原因是SK海力士初，海力士將大規模生產200多層閃存，而長江存儲將持續到2024年。現在，他們低估了長江存儲的技術儲備。據報道，長江存儲預計將進入蘋果供應鏈iPhone如果說產品供應閃存最多的話Samsung代理最終實現，無疑會有打破產業格局的動力。
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