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揚(yáng)杰科技是中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十大企業(yè)(YANGJIE)

芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注于整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源，芯片庫(kù)存實(shí)時(shí)查詢(xún)，行業(yè)價(jià)格合理，采購(gòu)方便IC芯片，國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)芯片采購(gòu)平臺(tái)。

· 主要產(chǎn)品：中低壓MOSFET（VDSS：20V-150V）和高壓MOSFET（VDSS：500V-900V）

· 品牌優(yōu)勢(shì)：專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝試驗(yàn)等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，ISO9001，ISO14001，IATF16949等認(rèn)證，連續(xù)幾年被評(píng)為中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十大企業(yè)。

長(zhǎng)晶科技是中國(guó)領(lǐng)先的分立設(shè)備研發(fā)企業(yè)（JSCJ）

· 主要產(chǎn)品：覆蓋12V~700V的功率型MOSFET

· 品牌優(yōu)勢(shì)：專(zhuān)注于電力設(shè)備、分立設(shè)備、頻率設(shè)備、電源管理芯片、汽車(chē)電子等產(chǎn)品的研發(fā)制造商，前身為長(zhǎng)電技術(shù)（世界知名集成電路包裝測(cè)試企業(yè)）分立設(shè)備部門(mén)。主要產(chǎn)品包括二極管、三極管，MOSFET、LDO、DC-DC、頻率設(shè)備、功率設(shè)備等，擁有1.5萬(wàn)多個(gè)產(chǎn)品系列和型號(hào)，廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)、工業(yè)電子領(lǐng)域。同時(shí)，公司還為汽車(chē)電子和軍事領(lǐng)域提供專(zhuān)業(yè)的產(chǎn)品和服務(wù)。

世界上最大的二極管制造商之一：固锝（Good-Ark）

· 主要產(chǎn)品：整流二次管芯片、軸硅整流二極管、開(kāi)關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管、微橋堆、塑料密封二極管表面安裝、金屬玻璃密封大功率整流管等。

· 品牌優(yōu)勢(shì)：世界上最大的二極管制造商之一，月產(chǎn)量可達(dá)2.5億，占世界產(chǎn)量的8%-9%。中國(guó)唯一擁有最多的家庭TR1汽車(chē)客戶(hù)認(rèn)證企業(yè)。主營(yíng)二極管&MOS，包含電流（0.2A~40A）、電壓（20V~200V）全系列大小功率產(chǎn)品，品類(lèi)齊全，包裝多樣，漏電流小；具體的獨(dú)立晶圓供應(yīng)能力；以及小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管、小信號(hào)穩(wěn)壓管、肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管；產(chǎn)品符合要求AECQ101標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)了IATF16949，ISO9001認(rèn)證。

國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的MOSFET動(dòng)力器件制造商-銳駿半導(dǎo)體（Ruichips）

· 主要產(chǎn)品：中壓MOSFET和低壓MOSFET（VDSS: 20V~120V）、高壓MOSFET（VDSS：650V~1200V）

· 品牌優(yōu)勢(shì)：致力于新產(chǎn)品的研發(fā)，產(chǎn)品自主性超過(guò)95%Trench MOSFET、SGT MOSFET、Super JunctionMOSFET、LED Driver四種產(chǎn)品線，數(shù)百種型號(hào)；國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利22項(xiàng) 特別是新一代SGT產(chǎn)品技術(shù)處于行業(yè)領(lǐng)先水平。在適配器快速充電、移動(dòng)電源、汽車(chē)充電、直流電機(jī)、新能源、太陽(yáng)能光伏逆變器、鋰保護(hù)等應(yīng)用領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。

國(guó)內(nèi)首批6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圓制造商:瞻芯電子（InventChip）

· 主要產(chǎn)品：碳化硅MOSFET

· 品牌優(yōu)勢(shì)：致力于開(kāi)發(fā)以碳化硅為核心、性?xún)r(jià)比高的功率半導(dǎo)體設(shè)備和驅(qū)動(dòng)控制IC產(chǎn)品。其SiC MOSFET第一輪流片是中國(guó)第一批國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圓。瞻芯電子（InventChip）2019年榮獲中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟會(huì)員PSIC發(fā)展?jié)摿ψ畲蟮钠髽I(yè)。

世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體分立器件制造商——PANJIT（強(qiáng)茂）

· 主要產(chǎn)品:低壓(20V-40V),中壓（50V-200V),高壓（400V-900V)全電壓范圍小信號(hào)和功率MOSFET產(chǎn)品

· 品牌優(yōu)勢(shì)：世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體分離器件制造商，具有半導(dǎo)體上下游整合和自身核心技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，致力于整流二極管、功率半導(dǎo)體、突波抑制器等分離器件產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)，其半導(dǎo)體分離器件二極體在全球市場(chǎng)排名前十。

國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件和電源管理方案供應(yīng)商無(wú)錫紫光微

· 主要產(chǎn)品：超結(jié)功率MOSFET、Multi-EPI超結(jié)MOSFET、溝槽式MOSFET、VD MOSFET、SGT MOSFTE

· 工藝：多層外延工藝、雙溝槽柵工藝

· 品牌優(yōu)勢(shì)：紫光集團(tuán)子公司紫光核心微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)紫光微）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的核心企業(yè)之一，專(zhuān)注于先進(jìn)半導(dǎo)體功率設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、芯片加工和包裝測(cè)試。產(chǎn)品涵蓋500V-1200V高壓超結(jié)MOSFET、20V-150V中低壓SGT/TRENCH MOSFET、40V-1500V VDMOS、IGBT、IGTO、SIC等半導(dǎo)體功率器件。交期12-28周。

碳化硅功率器件是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)（BASiC）

· 主要產(chǎn)品：碳化硅MOSFET、碳化硅特基二極管

· 品牌優(yōu)勢(shì)：基本半導(dǎo)體掌握國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，開(kāi)發(fā)材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、包裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，全電流電壓等級(jí)碳化硅特基二極管(電壓規(guī)格650V-1700V；電流2A~40A）、通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET、全碳化硅碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。其中650V碳化硅特基二極管產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101可靠性測(cè)試。

派恩杰是中國(guó)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體功率設(shè)計(jì)公司（PN Junction）

· 主要產(chǎn)品：含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化鎵三極管等。

· 品牌優(yōu)勢(shì)：贏得全球Top全球3氮化鎵/碳化硅晶圓廠OEM支持Top5包裝廠OEM支持，實(shí)現(xiàn)開(kāi)模量產(chǎn)和技術(shù)升級(jí)，成功研發(fā)可兼容驅(qū)動(dòng)650V氮化鎵功率器件完成Gen3技術(shù)的1200V碳化硅MOS，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)技術(shù)產(chǎn)業(yè)的空白。

國(guó)內(nèi)首批量產(chǎn)6寸SiC MOS制造商-愛(ài)仕特（AST）

· 主要產(chǎn)品：SiC MOS芯片、SiC MOS模塊

· 品牌優(yōu)勢(shì)：公司擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，已申請(qǐng)專(zhuān)利技術(shù)25項(xiàng)，6英寸技術(shù)已批量生產(chǎn)650多項(xiàng)V~3300V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品，建立起車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOS模塊化工廠可以為客戶(hù)提供一套完整的應(yīng)用解決方案。

碳化硅專(zhuān)家，專(zhuān)業(yè)電力設(shè)備制造商--SLKOR（薩科微）

· 主要產(chǎn)品:碳化硅器件(碳化硅器件)MOS碳化硅特基二極管和管道MOS管道、二極管、可控硅

· 品牌優(yōu)勢(shì)：2010年開(kāi)始研發(fā)生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體SiC其設(shè)計(jì)、工藝和性能居世界前列。產(chǎn)品主要包括碳化硅MOS電壓主要為650V和1200V；MOS采用先進(jìn)的溝槽柵技術(shù)，最大限度地提高功率密度，從而減少電流傳導(dǎo)過(guò)程中的導(dǎo)通損耗。擊穿電壓覆蓋-2000V~650V，配合先進(jìn)的包裝技術(shù)，提供1000mA~250A電流范圍。

碳化硅專(zhuān)利儲(chǔ)備數(shù)量在中國(guó)排名第一（SASTC）

· 主要產(chǎn)品：碳化硅特基二極管MOSFET

· 品牌優(yōu)勢(shì)：致力于第三代半導(dǎo)體和先進(jìn)硅設(shè)備的工程研發(fā)，專(zhuān)注于碳化硅、氮化鎵和先進(jìn)硅設(shè)備三個(gè)技術(shù)方向，開(kāi)發(fā)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的650V和 1200V 共有23種肖特基二極管產(chǎn)品，1200V的MOSFET產(chǎn)品共5款，同時(shí)具備40-650V電壓等級(jí)的電力電子設(shè)備和5G微波功率器件的研發(fā)能力和特殊頻段。

專(zhuān)業(yè)碳化硅功率器件供應(yīng)商-思想創(chuàng)意（Fast SiC）

· 主要產(chǎn)品：碳化硅特基二極管MOSFET

· 品牌優(yōu)勢(shì)：專(zhuān)注于適用于高頻操作的超低電容電荷碳化硅特基二極管和碳化硅MOSFET。全系列采用寄生電感小、小、表面焊接DPAK(TO-252) 及 QFN5x6包裝，可節(jié)省PCB適用于快充頭等小型化高功率密度需求的區(qū)域和自動(dòng)化上件檢測(cè)。交貨期為16周。

中國(guó)最早從事SiC中電國(guó)基南方設(shè)備研究科研單位之一（CETC）

· 主要產(chǎn)品： 6Nordic代理50V~1700VSiC MOSFET產(chǎn)品

· 品牌優(yōu)勢(shì)：中國(guó)電子科技集團(tuán)第55研究所擁有中國(guó)唯一的寬禁帶半導(dǎo)體電力電子設(shè)備實(shí)驗(yàn)室。它是中國(guó)最早建立的4或6英寸SiC生產(chǎn)線上的公司容納1萬(wàn)片/年的圓片容量，公司通過(guò)GB/T 19001、ISO9001等行業(yè)認(rèn)證。

金譽(yù)半導(dǎo)體電子元器件十大品牌企業(yè)（JINYU SEMICONDUCTOR）

· 主要產(chǎn)品：二極管、三極管 MOS管、IC集成電路

· 品牌優(yōu)勢(shì)：半導(dǎo)體研發(fā)、包裝、檢測(cè)(主二三極管) MOS管、IC高新技術(shù)有限公司致力于為全球電子制造企業(yè)提供高質(zhì)量、高效、專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體元件需求解決方案。包括中低壓MOSFET（VDSS:20V~150V）和高壓MOSFET（VDSS：500V~900V）; 獨(dú)立晶圓設(shè)計(jì)能力，各種形狀包裝，中低壓MOSFET 12英寸 8英寸、高壓MOSFET 6英寸；中低壓MOSFET采用溝槽和SGT工藝，高壓MOSFET采用平面工藝；超低內(nèi)阻芯片設(shè)計(jì)。月產(chǎn)能16億PCS 高壓MOS交貨期4-8周，中低壓MOS 1-2周交期。

固得沃克，專(zhuān)業(yè)的二/三極管和橋堆制造商（Goodwork）

· 主要產(chǎn)品：MOS類(lèi)產(chǎn)品主要是N溝通，涉及20V，30V，50V，650V系列

· 品牌優(yōu)勢(shì)：專(zhuān)注于二三極管、橋式整流器MOS擁有自主品牌的管道研發(fā)生產(chǎn)GK，GW建有12條芯片封裝及試驗(yàn)線，年產(chǎn)半導(dǎo)體整流橋、貼片二極管、直插二極管，MOS100億個(gè)管道等產(chǎn)品。

麗正國(guó)際全球知名整流器制造商（Rectron）

· 主要產(chǎn)品： 全系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋低壓(below 60V)，中壓(below 200V)，高壓( 600V~650V~1200V)

· 品牌優(yōu)勢(shì)：具有40多年整流器制造經(jīng)驗(yàn)的分立半導(dǎo)體優(yōu)質(zhì)制造商Apple，ZTE，LG，Honeywell等全球知名品牌供貨。麗正國(guó)際(Rectron)通過(guò)了UL、AEC-Q101、IATF16949、ISO9001、ISO14001 & OHSAS18000等認(rèn)證采用 IPQC, SPC和TQM 提高半導(dǎo)體器件生產(chǎn)質(zhì)量水平，確保<10PPM的故障率。

年產(chǎn)400KK功率半導(dǎo)體器件-全力半導(dǎo)體器件（All Power）

· 主要產(chǎn)品：SGT MOS、COOLMOS、Trench Mos、Planar Mos

· 品牌優(yōu)勢(shì)：致力于研發(fā)和銷(xiāo)售功率半導(dǎo)體元件的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證。依托臺(tái)灣、硅谷、大陸頂尖技術(shù)精英，加強(qiáng)自主研發(fā)創(chuàng)新能力，為行業(yè)提供性能更好的產(chǎn)品，已成為新能源、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)通、手機(jī)、電池、消費(fèi)品等行業(yè)的長(zhǎng)期合作伙伴，產(chǎn)品出口國(guó)內(nèi)外。

行業(yè)領(lǐng)先的分立器件制造商：安邦（ANBON）

· 主要產(chǎn)品：TVS(瞬態(tài)電壓抑制管)MOSFET、SiC二極管等

· 品牌優(yōu)勢(shì)：分離器件研發(fā)生產(chǎn)的動(dòng)力半導(dǎo)體制造商，面向工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)，擁有自己的晶圓廠，完整的包裝生產(chǎn)線。MOSFET電壓覆蓋到20V至200V；主要的補(bǔ)丁包裝，采用溝槽工藝，獨(dú)立設(shè)計(jì)晶圓；產(chǎn)品采用8英寸芯片，阻抗低，電流大，產(chǎn)品系列包含車(chē)輛規(guī)格認(rèn)證AEC-Q101。

明德微（TRR）

· 主要產(chǎn)品：中低壓MOSFET、高壓MOSFET

· 品牌優(yōu)勢(shì)：晶圓、包裝、設(shè)備測(cè)試 以及應(yīng)用設(shè)計(jì)等領(lǐng)域的核心技術(shù)，致力于新組件的開(kāi)發(fā)、銷(xiāo)售和應(yīng)用解決方案設(shè)計(jì)，已獲得約80項(xiàng)國(guó)家授權(quán)的發(fā)明專(zhuān)利。其中，低壓MOSFET的VRMM：30V~150V；IF:10A—230A；高壓MOSFET：VRMM：200V~900V；IF：2A—20A。

專(zhuān)注于半導(dǎo)體模擬芯片和分立器件的包裝和測(cè)試OEM合科泰電子代工綜合企業(yè)（HKT）

· 主要產(chǎn)品：漏源極（BVDS）耐壓N-MOS、P-MOS、復(fù)合管

· 品牌優(yōu)勢(shì)：采用歐盟生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，在電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體設(shè)備及工藝設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)、設(shè)備模型提取等方面積累了許多核心技術(shù)，并獲得了國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利、實(shí)用新型專(zhuān)利等資質(zhì)。

全球碳化硅MOSFET頂級(jí)制造商之一：美浦森森(Maplesemi)

· 主要產(chǎn)品：超結(jié)MOSFET、高壓MOSFET

· 品牌優(yōu)勢(shì)：致力于POWER MOSFET以及碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。目前8 東亞唯一一個(gè)月產(chǎn)能1.2萬(wàn)片，6寸產(chǎn)能1萬(wàn)片。PLANNER 8英寸晶圓生產(chǎn)線的技術(shù)骨干來(lái)自SAMSUNG（三星）和FAIRCHILD（仙童）。美浦森(Maplesemi)2009年獲得韓國(guó)政府IT VENTURE企業(yè)認(rèn)可成為韓國(guó)世界上第一家SiC MOSFET頂級(jí)制造商。

MOSFET廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，作為不可替代的基礎(chǔ)產(chǎn)品。在全球節(jié)能減排環(huán)境下， MOSFET相比于IGBT而三極管設(shè)備功耗低、工作頻率高、無(wú)電流拖尾等現(xiàn)象。世界強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)匯聚國(guó)內(nèi)知名度MOSFET電力設(shè)備制造商， 可提供20V-1700V，包括低壓、中壓、高壓MOSFET，最高工作溫度為175℃，推動(dòng)R&D項(xiàng)目快速?lài)?guó)產(chǎn)化選型。