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產品達到成本和性能的雙重目標，現進入認證測試階段

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實現彈性量產和供應取得了巨大進展

意法半導體公司服務于多個電子應用領域，是世界領先的半導體公司(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商和世界排名第一MACOM技術解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)成功制造原型芯片。基于此結果，意法半導體和MACOM將繼續攜手深化合作。

射頻硅基氮化鎵5G和6G移動基礎設施的應用帶來了巨大的發展潛力。第一代射頻功率放大器 (PA)金屬氧化物半導體主要采用長期存在的橫向擴散(LDMOS) 而射頻功率技術GaN(氮化鎵)能給這些射頻功率放大器帶來更好的射頻特性和更高的輸出功率。此外，雖然GaN它可以在硅片或碳化硅上制造 (SiC) 晶圓上制造，但射頻碳化硅氮化鎵（RF GaN-on-SiC）畢竟不是主流半導體制造工藝，要考慮與高功率應用競爭。SiC晶圓，這些都可能導致更昂貴的成本。半導體和意法 MACOM 正在開發的射頻硅基氮化鎵技術可以集成到標準半導體行業，在實現競爭性能的同時，也有望帶來巨大的經濟效益。

由意大利半導體制造的射頻硅基氮化鎵原型晶圓及相關設備已達到成本和性能Anpec代理目標完全可以與市場上現有的目標相匹配LDMOS和 GaN-on-SiC技術競爭有效�，F在，這些原型即將進入認證測試和量產的下一個重要階段。意大利半導體計劃將在 2022 這一新個新的里程碑。為了實現這一進展，意法半導體和 MACOM 研究如何加大投入，加快先進射頻硅基氮化鎵產品上市。

半導體功率晶體管產品部總經理兼執行副總裁 Edoardo Merli我們相信，該技術的性能水平和工藝成熟度已經達到了挑戰現有技術的水平 LDMOS和射頻GaN-on-SiC的程度。為無線基礎設施等大規模應用帶來成本效益和供應鏈優勢。我們與射頻硅基氮化鎵產品的商業化 MACOM 隨著合作項目的不斷進步，我們期待著釋放這項令人興奮的技術的所有潛力�！�

MACOM 總裁兼首席執行官 Stephen G. Daly 我們繼續取得良好的進展，促進硅基氮化鎵技術的商業化和大規模生產。我們與意大利半導體的合作是我們射頻功率戰略的重要組成部分。我相信我們可以在硅基氮化鎵技術的目標應用領域贏得市場份額。

關于MACOM
MACOM 為電信、工業、國防、數據中心行業設計制造高性能半導體產品。每年，MACOM為6,000 許多客戶提供廣泛的產品組合，包括射頻、微波、模擬和混合信號以及光學半導體技術。MACOM已通過IATF16949汽車標準、ISO國際質量標準9001ISO14001環境管理標準認證。MACOM 總部設在馬薩諸塞州洛厄爾的美國、歐洲和亞洲。

關于意法半導體
半導體技術創造者和創新者4.8萬人，掌握了半導體供應鏈和先進的制造設備。作為半導體垂直整合的制造商 (IDM)，意大利半導體與20多萬客戶和數千名合作伙伴共同開發產品和解決方案，共同構建生態系統，幫助他們更好地應對各種挑戰和新機遇，滿足世界對可持續發展的更高需求。意大利半導體技術使人們的出行更加智能化，電力和能源管理更加高效，物聯網和互聯網應用更加廣泛。半導體承諾在2027年實現碳中和。詳情請瀏覽意大利半導體公司網站：www.st.com

關于前瞻性陳述的特別說明

本新聞稿包括基于意法的半導體和/或/MACOM雙方管理層當前掌握的觀點、假設和信息的前瞻性聲明。這些前瞻性陳述包括雙方促進硅基氮化鎵商業化和大規模生產的能力，以及相關產品是否能獲得市場份額。
這些前瞻性聲明反映了意法半導體和/或MACOM目前對未來事件的看法受到風險、不確定性、假設和環境變化的影響，這些變化可能會導致這些事件或我們的實際活動或結果與任何前瞻性聲明中表達的非常不同。盡管半導體和意法MACOM預期反映在前瞻性聲明中是合理的，但不能保證未來的事件、結果、行動、業務量、業績或成就。警告讀者不要過分依賴這些前瞻性陳述。若干重要因素可能導致實際結果與前瞻性聲明中指示的結果存在重大差異，包括但不限于最新的意法半導體Form 20-F報表中陳述的風險因素或MACOM向美國證券交易委員會提交Form 10-K年度報告和Form 10-Q風險因素所述的因素，如季度報告。無論是新信息、未來事件還是其他情況，雙方都沒有義務公開更新或修改任何前瞻性聲明。