產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：單端場效應管，TO-220AB
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
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PSMN4R3-30PL,127 技術(shù)參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PSMN4R3-30PL,127
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：100A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.3 毫歐 @ 15A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：41.5nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2400pF @ 12V
- 功率 - 最大值：103W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商器件封裝：TO-220AB
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