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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
NXP
熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
PMXB65ENEZ 圖片
  • 制造廠商:NXP(恩智浦)
  • 類(lèi)別封裝:單端場(chǎng)效應(yīng)管,3-DFN
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
  • 豐富的NXP公司產(chǎn)品,NXP芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
快速報(bào)價(jià),在行業(yè)擁有較高的知名度及影響力
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PMXB65ENEZ 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • NXP恩智浦完整型號(hào):PMXB65ENEZ
  • 制造商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
  • 系列:-
  • FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門(mén)
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):3.2A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):67 毫歐 @ 3.2A, 10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):295pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:400mW
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:3-XFDFN 裸露焊盤(pán)
  • 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN (1.1x1)
  • PMXB65ENEZ優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的NXP芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)|IC采購(gòu)|IC代理商 - 國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)NXP代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)
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